Vlastnosti a výhody
- Lehká a kompaktní konstrukce - Inovativní tranzistory IGBT šetří místo a hmotnost ve srovnání se starou technologií MOSFET. Už žádné těžké přenášení!
- Nejvyšší účinnost a výkon - Jednofázový střídavý proud (230 V) napájí zařízení a umožňuje výstupní výkon skutečných 160 A.
- Inteligentní chlazení a ochrana proti přehřátí - Nejmodernější technologie, integrovaná ochrana proti přehřátí a vysoce výkonné chlazení umožňují využít maximální výkon.
- Cívka drátu - Zde lze zpracovávat komerčně dostupné cívky drátu od 0,45 kg do 1 kg. Do trnu cívky lze umístit cívky o průměru 16 mm.
- Hnací válec drátu - jednoduchou výměnou hnacího válce z 0,6 mm - 0,8 mm a 0,8 mm - 1,0 mm lze používat různé tloušťky drátu ve velikostech 0,6 mm / 0,8 mm / 0,9 mm / 1,0 mm.
Poznámka: Zařízení není určeno pro použití v obytných oblastech, kde je napájení zajištěno prostřednictvím veřejné nízkonapěťové sítě. V těchto oblastech může být obtížné zajistit elektromagnetickou kompatibilitu z důvodu rušení vedením i vyzařováním.
German
English
French
Italian
Spanish
Russian
Dutch
Swedish
Polish
Danish
Finnish
